SSH25N35A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSH25N35A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 350 V

Corriente continua de drenaje (Id): 25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.2 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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SSH25N35A Datasheet (PDF)

2.1. ssh25n35 ssh25n40.pdf Size:275K _samsung

4.1. ssh25n40a.pdf Size:214K _samsung

SSH25N40A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 400 V Avalanche Rugged Technology ? RDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 25 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V � Low RDS(ON) : 0.162 ? (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Character

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