SSH25N35A Todos los transistores

 

SSH25N35A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSH25N35A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 350 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

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Principales características: SSH25N35A

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SSH25N35A

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SSH25N35A

SSH25N40A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 400 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 25 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 400V Low RDS(ON) 0.162 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol C

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History: AP85N03NF | CEM2187

 

 
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