Справочник MOSFET. SSH25N35A

 

SSH25N35A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSH25N35A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SSH25N35A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH25N35A Datasheet (PDF)

 6.1. Size:275K  samsung
 ssh25n35 ssh25n40.pdf pdf_icon

SSH25N35A

 8.1. Size:214K  samsung
 ssh25n40a.pdf pdf_icon

SSH25N35A

SSH25N40AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 25 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3P Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V Low RDS(ON) : 0.162 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol C

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.