SSH25N35A - описание и поиск аналогов

 

SSH25N35A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSH25N35A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 350 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для SSH25N35A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH25N35A даташит

 6.1. Size:275K  samsung
 ssh25n35 ssh25n40.pdf pdf_icon

SSH25N35A

 8.1. Size:214K  samsung
 ssh25n40a.pdf pdf_icon

SSH25N35A

SSH25N40A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 400 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 25 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 400V Low RDS(ON) 0.162 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol C

Другие MOSFET... SSH15N60A , SSH17N60A , SSH20N45 , SSH20N45A , SSH20N50 , SSH20N50A , SSH22N50A , SSH25N35 , AON6414A , SSH25N40 , SSH25N40A , SSH3N70 , SSH3N70A , SSH40N15 , SSH40N15A , SSH40N20 , SSH40N20A .

History: SMK0160IS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.