CSB08N6P5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSB08N6P5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 56 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 130 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 40 nC
Tiempo de subida (tr): 4.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 420 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
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CSB08N6P5 Datasheet (PDF)
csb08n6p5.pdf
CSB08N6P580V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESl Trench Power MOSFET Technologyl Low RDS(ON)l Low Gate Chargel Optimized For Fast-switching ApplicationsAPPLICATIONSl DC/DC Converterl Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingCSB08N6P5 TO-263 CSB08N6P5Absolute Maximum Ratings at Tj= 25
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .