CSB08N6P5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSB08N6P5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: TO-263

 Búsqueda de reemplazo de CSB08N6P5 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CSB08N6P5 datasheet

 ..1. Size:612K  convert
 csb08n6p5.pdf pdf_icon

CSB08N6P5

Otros transistores... CS9N80F, CS9N80P, CS9N90F, CS9N90P, CS9N90W, CS9N90V, CS9N95F, CS9N95W, IRF540, CSD03N6P3, CSD08N6P5, CSFR12N60F, CSFR20N60F, CSFR2N60F, CSFR2N60P, CSFR2N60U, CSFR2N60D