CSB08N6P5 - аналоги и даташиты транзистора

 

CSB08N6P5 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CSB08N6P5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для CSB08N6P5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSB08N6P5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:612K  convert
 csb08n6p5.pdf pdf_icon

CSB08N6P5

CSB08N6P580V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESl Trench Power MOSFET Technologyl Low RDS(ON)l Low Gate Chargel Optimized For Fast-switching ApplicationsAPPLICATIONSl DC/DC Converterl Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingCSB08N6P5 TO-263 CSB08N6P5Absolute Maximum Ratings at Tj= 25

Другие MOSFET... CS9N80F , CS9N80P , CS9N90F , CS9N90P , CS9N90W , CS9N90V , CS9N95F , CS9N95W , IRF540 , CSD03N6P3 , CSD08N6P5 , CSFR12N60F , CSFR20N60F , CSFR2N60F , CSFR2N60P , CSFR2N60U , CSFR2N60D .

History: IXTA60N10T | 2N6760 | IRLR024N | 2N4857A | NCE70T1K2R | DMP32D9UFZ | CED04N6

 

 
Back to Top

 


 
.