CSB08N6P5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSB08N6P5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для CSB08N6P5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSB08N6P5 даташит

 ..1. Size:612K  convert
 csb08n6p5.pdf pdf_icon

CSB08N6P5

Другие IGBT... CS9N80F, CS9N80P, CS9N90F, CS9N90P, CS9N90W, CS9N90V, CS9N95F, CS9N95W, IRF540, CSD03N6P3, CSD08N6P5, CSFR12N60F, CSFR20N60F, CSFR2N60F, CSFR2N60P, CSFR2N60U, CSFR2N60D