CSD03N6P3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSD03N6P3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 498 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm

Encapsulados: TO-252

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CSD03N6P3 datasheet

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CSD03N6P3

CSD03N6P3 30V N-Channel Split Gate MOSFET FEATURES l Super Low Gate Charge l 100% EAS Guaranteed l RoHS compliant l Green Device Available l Excellent CdV/dt effect decline l Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS lDC/DC Converter l Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Device Marking and Package Information Device Package Marking CS

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