Справочник MOSFET. CSD03N6P3

 

CSD03N6P3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSD03N6P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 498 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для CSD03N6P3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD03N6P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:589K  convert
 csd03n6p3.pdf pdf_icon

CSD03N6P3

CSD03N6P330V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESl Super Low Gate Chargel 100% EAS Guaranteedl RoHS compliantl Green Device Availablel Excellent CdV/dt effect declinel Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONSlDC/DC Converterl Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS

Другие MOSFET... CS9N80P , CS9N90F , CS9N90P , CS9N90W , CS9N90V , CS9N95F , CS9N95W , CSB08N6P5 , 50N06 , CSD08N6P5 , CSFR12N60F , CSFR20N60F , CSFR2N60F , CSFR2N60P , CSFR2N60U , CSFR2N60D , CSFR3N60F .

History: 2SJ289 | 2SJ279S | BSC018NE2LSI | UTT4850G-S08-R | VBZE30N02 | IPP60R165CP | BSH105

 

 
Back to Top

 


 
.