Справочник MOSFET. CSD03N6P3

 

CSD03N6P3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CSD03N6P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 8 nC
   Время нарастания (tr): 40 ns
   Выходная емкость (Cd): 498 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0063 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для CSD03N6P3

 

 

CSD03N6P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:589K  convert
 csd03n6p3.pdf

CSD03N6P3 CSD03N6P3

CSD03N6P330V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESl Super Low Gate Chargel 100% EAS Guaranteedl RoHS compliantl Green Device Availablel Excellent CdV/dt effect declinel Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONSlDC/DC Converterl Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top