CSD08N6P5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSD08N6P5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 98 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de CSD08N6P5 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CSD08N6P5 datasheet

 ..1. Size:625K  convert
 csd08n6p5.pdf pdf_icon

CSD08N6P5

CSD08N6P5 80V N-Channel Split Gate MOSFET FEATURES l Super Low Gate Charge l 100% EAS Guaranteed l RoHS compliant l Green Device Available l Excellent CdV/dt effect decline l Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS lDC/DC Converter l Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Device Marking and Package Information Device Package Marking CS

Otros transistores... CS9N90F, CS9N90P, CS9N90W, CS9N90V, CS9N95F, CS9N95W, CSB08N6P5, CSD03N6P3, IRFP460, CSFR12N60F, CSFR20N60F, CSFR2N60F, CSFR2N60P, CSFR2N60U, CSFR2N60D, CSFR3N60F, CSFR3N60P