CSD08N6P5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CSD08N6P5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 98 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO-252
CSD08N6P5 Datasheet (PDF)
csd08n6p5.pdf

CSD08N6P580V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESl Super Low Gate Chargel 100% EAS Guaranteedl RoHS compliantl Green Device Availablel Excellent CdV/dt effect declinel Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONSlDC/DC Converterl Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS
Другие MOSFET... CS9N90F , CS9N90P , CS9N90W , CS9N90V , CS9N95F , CS9N95W , CSB08N6P5 , CSD03N6P3 , IRF640 , CSFR12N60F , CSFR20N60F , CSFR2N60F , CSFR2N60P , CSFR2N60U , CSFR2N60D , CSFR3N60F , CSFR3N60P .
History: DMN5L06VAK | 2SK2223-01
History: DMN5L06VAK | 2SK2223-01



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249