CSD08N6P5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD08N6P5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 98 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CSD08N6P5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD08N6P5 даташит

 ..1. Size:625K  convert
 csd08n6p5.pdf pdf_icon

CSD08N6P5

CSD08N6P5 80V N-Channel Split Gate MOSFET FEATURES l Super Low Gate Charge l 100% EAS Guaranteed l RoHS compliant l Green Device Available l Excellent CdV/dt effect decline l Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS lDC/DC Converter l Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Device Marking and Package Information Device Package Marking CS

Другие IGBT... CS9N90F, CS9N90P, CS9N90W, CS9N90V, CS9N95F, CS9N95W, CSB08N6P5, CSD03N6P3, IRFP460, CSFR12N60F, CSFR20N60F, CSFR2N60F, CSFR2N60P, CSFR2N60U, CSFR2N60D, CSFR3N60F, CSFR3N60P