Справочник MOSFET. CSD08N6P5

 

CSD08N6P5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSD08N6P5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 98 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD08N6P5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:625K  convert
 csd08n6p5.pdf pdf_icon

CSD08N6P5

CSD08N6P580V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESl Super Low Gate Chargel 100% EAS Guaranteedl RoHS compliantl Green Device Availablel Excellent CdV/dt effect declinel Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONSlDC/DC Converterl Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS

Другие MOSFET... CS9N90F , CS9N90P , CS9N90W , CS9N90V , CS9N95F , CS9N95W , CSB08N6P5 , CSD03N6P3 , IRF640 , CSFR12N60F , CSFR20N60F , CSFR2N60F , CSFR2N60P , CSFR2N60U , CSFR2N60D , CSFR3N60F , CSFR3N60P .

History: DMN5L06VAK | 2SK2223-01

 

 
Back to Top

 


 
.