CSD08N6P5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CSD08N6P5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 98 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 40 nC
Время нарастания (tr): 4.2 ns
Выходная емкость (Cd): 410 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO-252
CSD08N6P5 Datasheet (PDF)
..1. Size:625K convert
csd08n6p5.pdf
csd08n6p5.pdf
CSD08N6P580V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESl Super Low Gate Chargel 100% EAS Guaranteedl RoHS compliantl Green Device Availablel Excellent CdV/dt effect declinel Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONSlDC/DC Converterl Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
