CSFR12N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSFR12N60F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 161 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de CSFR12N60F MOSFET
CSFR12N60F Datasheet (PDF)
csfr12n60f.pdf
CSFR12N60FnvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package Mark
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History: FQD6P25TF | STB60NE06L-16T4 | UTT16P10 | 12N65KL-TF2-T | IPD12CN10NG | APT50M50PVR | IXTH12N45
History: FQD6P25TF | STB60NE06L-16T4 | UTT16P10 | 12N65KL-TF2-T | IPD12CN10NG | APT50M50PVR | IXTH12N45
Liste
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