CSFR12N60F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSFR12N60F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 161 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для CSFR12N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSFR12N60F даташит

 ..1. Size:620K  convert
 csfr12n60f.pdf pdf_icon

CSFR12N60F

CSFR12N60F nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Mark

Другие IGBT... CS9N90P, CS9N90W, CS9N90V, CS9N95F, CS9N95W, CSB08N6P5, CSD03N6P3, CSD08N6P5, IRFZ44, CSFR20N60F, CSFR2N60F, CSFR2N60P, CSFR2N60U, CSFR2N60D, CSFR3N60F, CSFR3N60P, CSFR3N60U