Справочник MOSFET. CSFR12N60F

 

CSFR12N60F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSFR12N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 161 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для CSFR12N60F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSFR12N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:620K  convert
 csfr12n60f.pdf pdf_icon

CSFR12N60F

CSFR12N60FnvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package Mark

Другие MOSFET... CS9N90P , CS9N90W , CS9N90V , CS9N95F , CS9N95W , CSB08N6P5 , CSD03N6P3 , CSD08N6P5 , IRFZ44 , CSFR20N60F , CSFR2N60F , CSFR2N60P , CSFR2N60U , CSFR2N60D , CSFR3N60F , CSFR3N60P , CSFR3N60U .

History: VBZE50N06 | DMC6040SSD

 

 
Back to Top

 


 
.