SSH25N40A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSH25N40A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 435 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSH25N40A

SSH25N40A Datasheet (PDF)

..1. Size:214K samsung
ssh25n40a.pdf

SSH25N40AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 25 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3P Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V Low RDS(ON) : 0.162 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol C

6.1. Size:275K samsung
ssh25n35 ssh25n40.pdf

Otros transistores... SSH20N45 , SSH20N45A , SSH20N50 , SSH20N50A , SSH22N50A , SSH25N35 , SSH25N35A , SSH25N40 , 7N65 , SSH3N70 , SSH3N70A , SSH40N15 , SSH40N15A , SSH40N20 , SSH40N20A , SSH45N20A , SSH4N70 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: