SSH25N40A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SSH25N40A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 435 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: TO3P
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SSH25N40A Datasheet (PDF)
ssh25n40a.pdf
SSH25N40AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 25 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3P Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V Low RDS(ON) : 0.162 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol C
Другие MOSFET... SSH20N45 , SSH20N45A , SSH20N50 , SSH20N50A , SSH22N50A , SSH25N35 , SSH25N35A , SSH25N40 , 7N65 , SSH3N70 , SSH3N70A , SSH40N15 , SSH40N15A , SSH40N20 , SSH40N20A , SSH45N20A , SSH4N70 .
History: PE533BA | FDG6320C | NCEAP016N10LL | STB10NK60ZT4 | SI7413DN | BUK455-100B | SSF65R420S2
History: PE533BA | FDG6320C | NCEAP016N10LL | STB10NK60ZT4 | SI7413DN | BUK455-100B | SSF65R420S2
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent