CSFR4N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSFR4N60F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 36 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 18 nC
Tiempo de subida (tr): 23 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
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CSFR4N60F Datasheet (PDF)
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CSFR4N60F,CSFR4N60PnvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CSFR4N60U,CSFR4N60D600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Ma
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