Справочник MOSFET. CSFR4N60F

 

CSFR4N60F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSFR4N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для CSFR4N60F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSFR4N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:702K  convert
 csfr4n60f csfr4n60p csfr4n60u csfr4n60d.pdf pdf_icon

CSFR4N60F

CSFR4N60F,CSFR4N60PnvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CSFR4N60U,CSFR4N60D600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Ma

Другие MOSFET... CSFR3N60F , CSFR3N60P , CSFR3N60U , CSFR3N60D , CSFR3N60LF , CSFR3N60LP , CSFR3N60LU , CSFR3N60LD , IRFB4115 , CSFR4N60P , CSFR4N60U , CSFR4N60D , CSFR6N60F , CSFR6N60K , CSFR6N60U , CSFR6N60D , CSFR6N70F .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.