Справочник MOSFET. CSFR4N60F

 

CSFR4N60F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CSFR4N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 36 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 18 nC
   Время нарастания (tr): 23 ns
   Выходная емкость (Cd): 60 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для CSFR4N60F

 

 

CSFR4N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:702K  convert
 csfr4n60f csfr4n60p csfr4n60u csfr4n60d.pdf

CSFR4N60F CSFR4N60F

CSFR4N60F,CSFR4N60PnvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CSFR4N60U,CSFR4N60D600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Ma

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top