CSN03N3P9 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

CSN03N3P9 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSN03N3P9

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 610 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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CSN03N3P9 datasheet

..1. Size:699K 1
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nvert CSN03N3P9 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 30V N-Channel Split Gate Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS DC/DC Converter Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificati

..2. Size:699K convert
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8.1. Size:932K 1
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CSN03N2P2 30V N-Channel Split Gate MOSFET FEATURES l Super Low Gate Charge l 100% EAS Guaranteed l RoHS compliant l Green Device Available l Excellent CdV/dt effect decline l Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS lDC/DC Converter l Ideal for high-frequency switching a n d synchronous rectification Device Marking and Package Information Device Package Marking

8.2. Size:932K convert
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