CSN06N3P6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSN06N3P6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1522 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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CSN06N3P6 datasheet

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CSN06N3P6

CSN06N3P6 60V N-Channel Split Gate MOSFET FEATURES l Trench Power MOSFET Technology l Low RDS(ON) l Low Gate Charge l Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS lDC/DC Converter l Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Device Marking and Package Information Device Package Marking CSN06N3P6 DFN5*6 CSN06N3P6 Absolute Maximum Ratings at Tj= 25

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CSN06N3P6

CSN06N3P6 60V N-Channel Split Gate MOSFET FEATURES l Trench Power MOSFET Technology l Low RDS(ON) l Low Gate Charge l Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS lDC/DC Converter l Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Device Marking and Package Information Device Package Marking CSN06N3P6 DFN5*6 CSN06N3P6 Absolute Maximum Ratings at Tj= 25

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