Справочник MOSFET. CSN06N3P6

 

CSN06N3P6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSN06N3P6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1522 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для CSN06N3P6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSN06N3P6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:865K  1
 csn06n3p6.pdf pdf_icon

CSN06N3P6

CSN06N3P660V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESl Trench Power MOSFET Technologyl Low RDS(ON)l Low Gate Chargel Optimized For Fast-switching ApplicationsAPPLICATIONSlDC/DC Converterl Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingCSN06N3P6 DFN5*6 CSN06N3P6Absolute Maximum Ratings at Tj= 25

 ..2. Size:865K  convert
 csn06n3p6.pdf pdf_icon

CSN06N3P6

CSN06N3P660V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESl Trench Power MOSFET Technologyl Low RDS(ON)l Low Gate Chargel Optimized For Fast-switching ApplicationsAPPLICATIONSlDC/DC Converterl Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingCSN06N3P6 DFN5*6 CSN06N3P6Absolute Maximum Ratings at Tj= 25

Другие MOSFET... CSFR6N70D , CSFR7N60F , CSFR7N60K , CSFR7N60D , CSFR7N60U , CSN03N2P2 , CSN03N3P9 , CSN04N1P5 , IRFB3607 , CSNC04N8P5 , CSP08N6P5 , CSP10N4P2 , CSP10N8P3 , CST08N50U , CST08N50D , CST08N50F , CST1N50DLU .

History: 2SK3115 | ELM36402EA | VBA1104N | 2SK3433-S | IPD50R380CE | SVS60R360L8AE3TR | 6N70KL-TM3-T

 

 
Back to Top

 


 
.