CSN06N3P6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSN06N3P6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1522 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для CSN06N3P6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSN06N3P6 даташит

 ..1. Size:865K  1
 csn06n3p6.pdf pdf_icon

CSN06N3P6

CSN06N3P6 60V N-Channel Split Gate MOSFET FEATURES l Trench Power MOSFET Technology l Low RDS(ON) l Low Gate Charge l Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS lDC/DC Converter l Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Device Marking and Package Information Device Package Marking CSN06N3P6 DFN5*6 CSN06N3P6 Absolute Maximum Ratings at Tj= 25

 ..2. Size:865K  convert
 csn06n3p6.pdf pdf_icon

CSN06N3P6

CSN06N3P6 60V N-Channel Split Gate MOSFET FEATURES l Trench Power MOSFET Technology l Low RDS(ON) l Low Gate Charge l Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS lDC/DC Converter l Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Device Marking and Package Information Device Package Marking CSN06N3P6 DFN5*6 CSN06N3P6 Absolute Maximum Ratings at Tj= 25

Другие IGBT... CSFR6N70D, CSFR7N60F, CSFR7N60K, CSFR7N60D, CSFR7N60U, CSN03N2P2, CSN03N3P9, CSN04N1P5, K4145, CSNC04N8P5, CSP08N6P5, CSP10N4P2, CSP10N8P3, CST08N50U, CST08N50D, CST08N50F, CST1N50DLU