CSN06N3P6 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CSN06N3P6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1522 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для CSN06N3P6
CSN06N3P6 Datasheet (PDF)
csn06n3p6.pdf
CSN06N3P660V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESl Trench Power MOSFET Technologyl Low RDS(ON)l Low Gate Chargel Optimized For Fast-switching ApplicationsAPPLICATIONSlDC/DC Converterl Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingCSN06N3P6 DFN5*6 CSN06N3P6Absolute Maximum Ratings at Tj= 25
csn06n3p6.pdf
CSN06N3P660V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESl Trench Power MOSFET Technologyl Low RDS(ON)l Low Gate Chargel Optimized For Fast-switching ApplicationsAPPLICATIONSlDC/DC Converterl Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingCSN06N3P6 DFN5*6 CSN06N3P6Absolute Maximum Ratings at Tj= 25
Другие MOSFET... CSFR6N70D , CSFR7N60F , CSFR7N60K , CSFR7N60D , CSFR7N60U , CSN03N2P2 , CSN03N3P9 , CSN04N1P5 , IRFB3607 , CSNC04N8P5 , CSP08N6P5 , CSP10N4P2 , CSP10N8P3 , CST08N50U , CST08N50D , CST08N50F , CST1N50DLU .
History: IVN5001AND | ZXMN3B14FTA | IPD49CN10NG | 2SK3451-01MR
History: IVN5001AND | ZXMN3B14FTA | IPD49CN10NG | 2SK3451-01MR
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965