Справочник MOSFET. CSN06N3P6

 

CSN06N3P6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSN06N3P6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 58 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1522 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CSN06N3P6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:865K  1
csn06n3p6.pdfpdf_icon

CSN06N3P6

CSN06N3P660V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESl Trench Power MOSFET Technologyl Low RDS(ON)l Low Gate Chargel Optimized For Fast-switching ApplicationsAPPLICATIONSlDC/DC Converterl Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingCSN06N3P6 DFN5*6 CSN06N3P6Absolute Maximum Ratings at Tj= 25

 ..2. Size:865K  convert
csn06n3p6.pdfpdf_icon

CSN06N3P6

CSN06N3P660V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESl Trench Power MOSFET Technologyl Low RDS(ON)l Low Gate Chargel Optimized For Fast-switching ApplicationsAPPLICATIONSlDC/DC Converterl Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingCSN06N3P6 DFN5*6 CSN06N3P6Absolute Maximum Ratings at Tj= 25

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: DADMH056N090Z1B | CST1N50DLD

 

 
Back to Top

 


 
.