CSP08N6P5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSP08N6P5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de CSP08N6P5 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CSP08N6P5 datasheet

 ..1. Size:667K  convert
 csp08n6p5.pdf pdf_icon

CSP08N6P5

CSP08N6P5 80V N-Channel Split Gate MOSFET FEATURES l Trench Power MOSFET Technology l Low RDS(ON) l Low Gate Charge l Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS lDC/DC Converter l Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Device Marking and Package Information Device Package Marking CSP08N6P5 TO-220 CSP08N6P5 Absolute Maximum Ratings at Tj= 25

Otros transistores... CSFR7N60K, CSFR7N60D, CSFR7N60U, CSN03N2P2, CSN03N3P9, CSN04N1P5, CSN06N3P6, CSNC04N8P5, AON7410, CSP10N4P2, CSP10N8P3, CST08N50U, CST08N50D, CST08N50F, CST1N50DLU, CST1N50DLD, CST1N50DLF