Справочник MOSFET. CSP08N6P5

 

CSP08N6P5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSP08N6P5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CSP08N6P5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:667K  convert
csp08n6p5.pdfpdf_icon

CSP08N6P5

CSP08N6P580V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESl Trench Power MOSFET Technologyl Low RDS(ON)l Low Gate Chargel Optimized For Fast-switching ApplicationsAPPLICATIONSlDC/DC Converterl Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingCSP08N6P5 TO-220 CSP08N6P5Absolute Maximum Ratings at Tj= 25

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.