CSP08N6P5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSP08N6P5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для CSP08N6P5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSP08N6P5 даташит

 ..1. Size:667K  convert
 csp08n6p5.pdf pdf_icon

CSP08N6P5

CSP08N6P5 80V N-Channel Split Gate MOSFET FEATURES l Trench Power MOSFET Technology l Low RDS(ON) l Low Gate Charge l Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS lDC/DC Converter l Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Device Marking and Package Information Device Package Marking CSP08N6P5 TO-220 CSP08N6P5 Absolute Maximum Ratings at Tj= 25

Другие IGBT... CSFR7N60K, CSFR7N60D, CSFR7N60U, CSN03N2P2, CSN03N3P9, CSN04N1P5, CSN06N3P6, CSNC04N8P5, AON7410, CSP10N4P2, CSP10N8P3, CST08N50U, CST08N50D, CST08N50F, CST1N50DLU, CST1N50DLD, CST1N50DLF