CSP08N6P5 - аналоги и даташиты транзистора

 

CSP08N6P5 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CSP08N6P5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для CSP08N6P5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSP08N6P5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:667K  convert
 csp08n6p5.pdf pdf_icon

CSP08N6P5

CSP08N6P580V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESl Trench Power MOSFET Technologyl Low RDS(ON)l Low Gate Chargel Optimized For Fast-switching ApplicationsAPPLICATIONSlDC/DC Converterl Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingCSP08N6P5 TO-220 CSP08N6P5Absolute Maximum Ratings at Tj= 25

Другие MOSFET... CSFR7N60K , CSFR7N60D , CSFR7N60U , CSN03N2P2 , CSN03N3P9 , CSN04N1P5 , CSN06N3P6 , CSNC04N8P5 , 5N60 , CSP10N4P2 , CSP10N8P3 , CST08N50U , CST08N50D , CST08N50F , CST1N50DLU , CST1N50DLD , CST1N50DLF .

History: GSM1072E | IPB065N10N3G | P6015AV | OSG95R500FF | RU1H36R | NCEP01T12 | SSM3K7002BFS

 

 
Back to Top

 


 
.