CST08N50D Todos los transistores

 

CST08N50D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CST08N50D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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CST08N50D Datasheet (PDF)

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CST08N50D

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CST08N50U, CST08N50D,CST08N50F500V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCST08N50U TO-251

Otros transistores... CSN03N3P9 , CSN04N1P5 , CSN06N3P6 , CSNC04N8P5 , CSP08N6P5 , CSP10N4P2 , CSP10N8P3 , CST08N50U , AON7506 , CST08N50F , CST1N50DLU , CST1N50DLD , CST1N50DLF , CST30N10F , CST30N10U , CST30N10D , CST30N10P .

 

 
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