CST08N50D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CST08N50D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CST08N50D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CST08N50D даташит

 ..1. Size:632K  convert
 cst08n50u cst08n50d cst08n50f.pdf pdf_icon

CST08N50D

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CST08N50U, CST08N50D,CST08N50F 500V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CST08N50U TO-251

Другие IGBT... CSN03N3P9, CSN04N1P5, CSN06N3P6, CSNC04N8P5, CSP08N6P5, CSP10N4P2, CSP10N8P3, CST08N50U, IRFB3607, CST08N50F, CST1N50DLU, CST1N50DLD, CST1N50DLF, CST30N10F, CST30N10U, CST30N10D, CST30N10P