CTB06N005 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CTB06N005
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 160 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 68 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 135 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 114 nC
Tiempo de subida (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 443 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.005 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CTB06N005
CTB06N005 Datasheet (PDF)
ctb06n005 ctp06n005.pdf
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ctd06n7p5 ctb06n7p5 ctp06n7p5.pdf
nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CTD06N7P5, CTB06N7P5,CTP06N7P568V N-Channel Trench MOSFETFEATURESTrench Power DTMOS technologyLow RDS(ON)Low Gate ChargeOptimized for fast-switching applicationsAPPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and IndustrialDevice Marking and Package Inf
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