CTB06N005. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CTB06N005

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 135 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 443 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для CTB06N005

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTB06N005 даташит

 ..1. Size:661K  convert
 ctb06n005 ctp06n005.pdf pdf_icon

CTB06N005

nvert CTB06N005,CTP06N005 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 68V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS DC/DC Converters Synchronous Rectification Device Marking and Package Information Device Package Marking CTB06N005 TO-263 CTB06N005 CTP06N005

 8.1. Size:823K  convert
 ctd06n7p5 ctb06n7p5 ctp06n7p5.pdf pdf_icon

CTB06N005

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CTD06N7P5, CTB06N7P5,CTP06N7P5 68V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power DTMOS technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for fast-switching applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Inf

Другие IGBT... CST1N50DLD, CST1N50DLF, CST30N10F, CST30N10U, CST30N10D, CST30N10P, CST9N20LF, CST9N20LP, 4N60, CTP06N005, CTD02N004, CTD02N007, CTD02N4P8, CTD03N003, CTD03N005, CTD03N10P5, CTD03N3P3