Справочник MOSFET. CTB06N005

 

CTB06N005 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CTB06N005
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 135 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 443 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для CTB06N005

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTB06N005 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:661K  convert
 ctb06n005 ctp06n005.pdf pdf_icon

CTB06N005

nvertCTB06N005,CTP06N005Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.68V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching ApplicationsAPPLICATIONS DC/DC Converters Synchronous RectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingCTB06N005 TO-263 CTB06N005CTP06N005

 8.1. Size:823K  convert
 ctd06n7p5 ctb06n7p5 ctp06n7p5.pdf pdf_icon

CTB06N005

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CTD06N7P5, CTB06N7P5,CTP06N7P568V N-Channel Trench MOSFETFEATURESTrench Power DTMOS technologyLow RDS(ON)Low Gate ChargeOptimized for fast-switching applicationsAPPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and IndustrialDevice Marking and Package Inf

Другие MOSFET... CST1N50DLD , CST1N50DLF , CST30N10F , CST30N10U , CST30N10D , CST30N10P , CST9N20LF , CST9N20LP , 10N65 , CTP06N005 , CTD02N004 , CTD02N007 , CTD02N4P8 , CTD03N003 , CTD03N005 , CTD03N10P5 , CTD03N3P3 .

History: 2SK3557-7-TB-E | PNM723T703E0-2 | BLP02N06L-D | JCS18N25VC | 2SK3101LS | QM3006U

 

 
Back to Top

 


 
.