CTB06N7P5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CTB06N7P5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 68 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 94 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 274 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO-263

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CTB06N7P5 datasheet

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CTB06N7P5

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CTD06N7P5, CTB06N7P5,CTP06N7P5 68V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power DTMOS technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for fast-switching applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Inf

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CTB06N7P5

nvert CTB06N005,CTP06N005 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 68V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS DC/DC Converters Synchronous Rectification Device Marking and Package Information Device Package Marking CTB06N005 TO-263 CTB06N005 CTP06N005

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