CTB06N7P5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CTB06N7P5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 94 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 274 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для CTB06N7P5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTB06N7P5 даташит

 ..1. Size:823K  convert
 ctd06n7p5 ctb06n7p5 ctp06n7p5.pdf pdf_icon

CTB06N7P5

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CTD06N7P5, CTB06N7P5,CTP06N7P5 68V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power DTMOS technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for fast-switching applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Inf

 8.1. Size:661K  convert
 ctb06n005 ctp06n005.pdf pdf_icon

CTB06N7P5

nvert CTB06N005,CTP06N005 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 68V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS DC/DC Converters Synchronous Rectification Device Marking and Package Information Device Package Marking CTB06N005 TO-263 CTB06N005 CTP06N005

Другие IGBT... CTD04N004, CTD04N11P5, CTD04N5P5, CTD04N7P5, CTD06N017, CTD06N030, CTD06N070, CTD06N7P5, IRF1405, CTP06N7P5, CTD10N033, CTD10N100, CTD10P650, CTN04N7P5, CTN04PN035, CTP03N2P7, CTP06N6P8