Справочник MOSFET. CTB06N7P5

 

CTB06N7P5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CTB06N7P5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 70 nC
   trⓘ - Время нарастания: 94 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 274 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для CTB06N7P5

 

 

CTB06N7P5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:823K  convert
 ctd06n7p5 ctb06n7p5 ctp06n7p5.pdf

CTB06N7P5 CTB06N7P5

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CTD06N7P5, CTB06N7P5,CTP06N7P568V N-Channel Trench MOSFETFEATURESTrench Power DTMOS technologyLow RDS(ON)Low Gate ChargeOptimized for fast-switching applicationsAPPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and IndustrialDevice Marking and Package Inf

 8.1. Size:661K  convert
 ctb06n005 ctp06n005.pdf

CTB06N7P5 CTB06N7P5

nvertCTB06N005,CTP06N005Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.68V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching ApplicationsAPPLICATIONS DC/DC Converters Synchronous RectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingCTB06N005 TO-263 CTB06N005CTP06N005

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top