Справочник MOSFET. CTB06N7P5

 

CTB06N7P5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CTB06N7P5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 94 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 274 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для CTB06N7P5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTB06N7P5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:823K  convert
 ctd06n7p5 ctb06n7p5 ctp06n7p5.pdf pdf_icon

CTB06N7P5

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CTD06N7P5, CTB06N7P5,CTP06N7P568V N-Channel Trench MOSFETFEATURESTrench Power DTMOS technologyLow RDS(ON)Low Gate ChargeOptimized for fast-switching applicationsAPPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and IndustrialDevice Marking and Package Inf

 8.1. Size:661K  convert
 ctb06n005 ctp06n005.pdf pdf_icon

CTB06N7P5

nvertCTB06N005,CTP06N005Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.68V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching ApplicationsAPPLICATIONS DC/DC Converters Synchronous RectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingCTB06N005 TO-263 CTB06N005CTP06N005

Другие MOSFET... CTD04N004 , CTD04N11P5 , CTD04N5P5 , CTD04N7P5 , CTD06N017 , CTD06N030 , CTD06N070 , CTD06N7P5 , NCEP15T14 , CTP06N7P5 , CTD10N033 , CTD10N100 , CTD10P650 , CTN04N7P5 , CTN04PN035 , CTP03N2P7 , CTP06N6P8 .

History: IXTP110N055T2 | 2SK3600-01L | TSP12N60M | BSN20 | QM3807M6 | BUK7507-30B | LSGC10R080W3

 

 
Back to Top

 


 
.