CTN04N7P5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CTN04N7P5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 193 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CTN04N7P5

CTN04N7P5 Datasheet (PDF)

..1. Size:621K 1
ctn04n7p5.pdf

nvertCTN04N7P5Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.40V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and high frequency circuitsDevice Marking and

..2. Size:621K convert
ctn04n7p5.pdf

9.1. Size:455K 1
ctn04pn035.pdf

nvertCTN04PN035Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.N+P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS H-bridge InvertersDevice Marking and Package InformationDe

9.2. Size:455K convert
ctn04pn035.pdf