CTN04N7P5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CTN04N7P5  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CTN04N7P5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTN04N7P5 даташит

 ..1. Size:621K  1
 ctn04n7p5.pdf pdf_icon

CTN04N7P5

nvert CTN04N7P5 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 40V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and high frequency circuits Device Marking and

 ..2. Size:621K  convert
 ctn04n7p5.pdf pdf_icon

CTN04N7P5

nvert CTN04N7P5 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 40V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and high frequency circuits Device Marking and

 9.1. Size:455K  1
 ctn04pn035.pdf pdf_icon

CTN04N7P5

nvert CTN04PN035 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. N+P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS H-bridge Inverters Device Marking and Package Information De

 9.2. Size:455K  convert
 ctn04pn035.pdf pdf_icon

CTN04N7P5

nvert CTN04PN035 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. N+P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS H-bridge Inverters Device Marking and Package Information De

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CTD06N030, CTD06N070, CTD06N7P5, CTB06N7P5, CTP06N7P5, CTD10N033, CTD10N100, CTD10P650, IRFB31N20D, CTN04PN035, CTP03N2P7, CTP06N6P8, CTP10N066, CTP10P095, CTQ06N085, CTS03P015, CTS03PP055