CTP03N2P7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CTP03N2P7
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 187 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 230 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0027 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de CTP03N2P7 MOSFET
CTP03N2P7 Datasheet (PDF)
ctp03n2p7.pdf

nvertCTP03N2P7Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.30V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and
Otros transistores... CTD06N7P5 , CTB06N7P5 , CTP06N7P5 , CTD10N033 , CTD10N100 , CTD10P650 , CTN04N7P5 , CTN04PN035 , 8N60 , CTP06N6P8 , CTP10N066 , CTP10P095 , CTQ06N085 , CTS03P015 , CTS03PP055 , CTU03N8P5 , CTU10P060 .
History: SM4405PRL | NCE65N230I | VSP007N04MS-G | HSS1N20 | IXTH440N055T2 | DMN10H099SK3 | BRCS080N03YB
History: SM4405PRL | NCE65N230I | VSP007N04MS-G | HSS1N20 | IXTH440N055T2 | DMN10H099SK3 | BRCS080N03YB



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984