CTP03N2P7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: CTP03N2P7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 230 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам