Справочник MOSFET. CTP03N2P7

 

CTP03N2P7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CTP03N2P7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 230 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для CTP03N2P7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTP03N2P7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:698K  convert
 ctp03n2p7.pdf pdf_icon

CTP03N2P7

nvertCTP03N2P7Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.30V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and

Другие MOSFET... CTD06N7P5 , CTB06N7P5 , CTP06N7P5 , CTD10N033 , CTD10N100 , CTD10P650 , CTN04N7P5 , CTN04PN035 , 8N60 , CTP06N6P8 , CTP10N066 , CTP10P095 , CTQ06N085 , CTS03P015 , CTS03PP055 , CTU03N8P5 , CTU10P060 .

History: AP6N2K0EN | DH060N08F | FMR23N50ES | UTD408G-TN3-R | SI4178DY | 2SJ186 | IXFT80N08

 

 
Back to Top

 


 
.