SSH45N20A Todos los transistores

 

SSH45N20A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSH45N20A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 530 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: TO3P

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SSH45N20A datasheet

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SSH45N20A

SSH45N20A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.065 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 45 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 200V Low RDS(ON) 0.054 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol

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