Справочник MOSFET. SSH45N20A

 

SSH45N20A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSH45N20A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH45N20A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  samsung
 ssh45n20a.pdf pdf_icon

SSH45N20A

SSH45N20AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.065 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 45 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3P Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Low RDS(ON) : 0.054 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol

Другие MOSFET... SSH25N40 , SSH25N40A , SSH3N70 , SSH3N70A , SSH40N15 , SSH40N15A , SSH40N20 , SSH40N20A , IRFP260 , SSH4N70 , SSH4N70A , SSH4N80AS , SSH4N90AS , SSH5N80A , SSH5N90A , SSH60N06 , SSH60N06A .

History: WML15N60C4 | FDD9407-F085 | ES6U2 | BLF6G27-10 | TPH4R008NH | OSG65R099KT3ZF | STP10NK70Z

 

 
Back to Top

 


 
.