SSH45N20A - аналоги и даташиты транзистора

 

SSH45N20A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SSH45N20A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SSH45N20A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH45N20A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  samsung
 ssh45n20a.pdf pdf_icon

SSH45N20A

SSH45N20AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.065 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 45 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3P Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Low RDS(ON) : 0.054 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol

Другие MOSFET... SSH25N40 , SSH25N40A , SSH3N70 , SSH3N70A , SSH40N15 , SSH40N15A , SSH40N20 , SSH40N20A , 2N7000 , SSH4N70 , SSH4N70A , SSH4N80AS , SSH4N90AS , SSH5N80A , SSH5N90A , SSH60N06 , SSH60N06A .

History: 3N126 | RFD10P03L

 

 
Back to Top

 


 
.