SSH45N20A - описание и поиск аналогов

 

SSH45N20A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSH45N20A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для SSH45N20A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH45N20A даташит

 ..1. Size:211K  samsung
 ssh45n20a.pdf pdf_icon

SSH45N20A

SSH45N20A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.065 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 45 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 200V Low RDS(ON) 0.054 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol

Другие MOSFET... SSH25N40 , SSH25N40A , SSH3N70 , SSH3N70A , SSH40N15 , SSH40N15A , SSH40N20 , SSH40N20A , AON7408 , SSH4N70 , SSH4N70A , SSH4N80AS , SSH4N90AS , SSH5N80A , SSH5N90A , SSH60N06 , SSH60N06A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.