CTU03N8P5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CTU03N8P5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 163 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de CTU03N8P5 MOSFET
CTU03N8P5 Datasheet (PDF)
ctu03n8p5.pdf

nvertCTU03N8P5Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.30V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and
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History: BUK9E1R9-40E | SWT47N65K | SIA444DJT | MRF137 | PB600BX | S8045RN | DH10H035R
History: BUK9E1R9-40E | SWT47N65K | SIA444DJT | MRF137 | PB600BX | S8045RN | DH10H035R



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