CTU03N8P5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CTU03N8P5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для CTU03N8P5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTU03N8P5 даташит

 ..1. Size:1078K  convert
ctu03n8p5.pdfpdf_icon

CTU03N8P5

nvert CTU03N8P5 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 30V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and

Другие IGBT... CTN04PN035, CTP03N2P7, CTP06N6P8, CTP10N066, CTP10P095, CTQ06N085, CTS03P015, CTS03PP055, AO4407A, CTU10P060, CTU20N170, CTU20N700, CTZ2302A, CTZ2305A, CTZ2312A, CJ2324, CJ3134KDW