CTU20N170 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CTU20N170

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 109 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm

Encapsulados: TO-251

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CTU20N170 datasheet

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CTU20N170

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CTU20N170 200V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and high frequency cir

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CTU20N170

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