CTU20N170 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CTU20N170  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 109 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm

Тип корпуса: TO-251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CTU20N170

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTU20N170 даташит

 ..1. Size:752K  convert
 ctu20n170.pdf pdf_icon

CTU20N170

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CTU20N170 200V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and high frequency cir

 8.1. Size:987K  convert
 ctu20n700.pdf pdf_icon

CTU20N170

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CTU20N700 200V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Power switching application Uninterruptible Power Supply Hard switched and high frequency circuits Dev

Другие IGBT... CTP06N6P8, CTP10N066, CTP10P095, CTQ06N085, CTS03P015, CTS03PP055, CTU03N8P5, CTU10P060, IRFP064N, CTU20N700, CTZ2302A, CTZ2305A, CTZ2312A, CJ2324, CJ3134KDW, CJ3139KDW, CJ3434