CJ4459 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJ4459
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130(max) pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
- Selección de transistores por parámetros
CJ4459 Datasheet (PDF)
cj4459.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDJIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSCJ4459 P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 46m@-10V-30V3-5A72m@-4.5V1. GATE 122. SOURCE DESCRIPTION The CJ4459 combines advanced trench MOSFET technology 3. DRAIN with a
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: STD45N10F7 | CS13N50FA9D | HGN035N08AL | CP650 | SWF2N70D | WM02N08L | SFF440C
History: STD45N10F7 | CS13N50FA9D | HGN035N08AL | CP650 | SWF2N70D | WM02N08L | SFF440C



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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