CJ4459 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJ4459
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130(max) pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de CJ4459 MOSFET
CJ4459 Datasheet (PDF)
cj4459.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDJIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSCJ4459 P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 46m@-10V-30V3-5A72m@-4.5V1. GATE 122. SOURCE DESCRIPTION The CJ4459 combines advanced trench MOSFET technology 3. DRAIN with a
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Liste
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