Справочник MOSFET. CJ4459

 

CJ4459 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CJ4459
   Маркировка: .4459'
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130(max) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для CJ4459

 

 

CJ4459 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3241K  jiangsu
 cj4459.pdf

CJ4459 CJ4459

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDJIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSCJ4459 P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 46m@-10V-30V3-5A72m@-4.5V1. GATE 122. SOURCE DESCRIPTION The CJ4459 combines advanced trench MOSFET technology 3. DRAIN with a

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top