CJ4459 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CJ4459
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130(max) pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для CJ4459
CJ4459 Datasheet (PDF)
cj4459.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDJIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSCJ4459 P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 46m@-10V-30V3-5A72m@-4.5V1. GATE 122. SOURCE DESCRIPTION The CJ4459 combines advanced trench MOSFET technology 3. DRAIN with a
Другие MOSFET... CTZ2302A , CTZ2305A , CTZ2312A , CJ2324 , CJ3134KDW , CJ3139KDW , CJ3434 , CJ3439KDW , 50N06 , CJ7252KDW , CJA03N10S , CJAA3134K , CJAA3139K , CJAB20N03 , CJAB20SN06 , CJAB25N03 , CJAB25N04 .
History: 2SK3604-01S | IPAN70R360P7S
History: 2SK3604-01S | IPAN70R360P7S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet