CJ4459. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJ4459

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для CJ4459

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJ4459 даташит

 ..1. Size:3241K  jiangsu
 cj4459.pdf pdf_icon

CJ4459

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ4459 P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 46m @-10V -30V 3 -5A 72m @-4.5V 1. GATE 1 2 2. SOURCE DESCRIPTION The CJ4459 combines advanced trench MOSFET technology 3. DRAIN with a

Другие IGBT... CTZ2302A, CTZ2305A, CTZ2312A, CJ2324, CJ3134KDW, CJ3139KDW, CJ3434, CJ3439KDW, 50N06, CJ7252KDW, CJA03N10S, CJAA3134K, CJAA3139K, CJAB20N03, CJAB20SN06, CJAB25N03, CJAB25N04