CJ7252KDW Todos los transistores

 

CJ7252KDW MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJ7252KDW
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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CJ7252KDW Datasheet (PDF)

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CJ7252KDW

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETsCJ7252KDW N Channel + P Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-363 5@10V 60 V0.34A5.3@4.5V8@-10V-50V-0.18A 10@-5VDESCRIPTION This N Channel + P Channel MOSFET has been designed using advanced power trench process to optimize the RDS(ON). FEATURE APPL

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History: PHD9NQ20T | FHU2N60A | LNC06R230

 

 
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