CJ7252KDW MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CJ7252KDW
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CJ7252KDW

CJ7252KDW Datasheet (PDF)

..1. Size:3779K jiangsu
cj7252kdw.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETsCJ7252KDW N Channel + P Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-363 5@10V 60 V0.34A5.3@4.5V8@-10V-50V-0.18A 10@-5VDESCRIPTION This N Channel + P Channel MOSFET has been designed using advanced power trench process to optimize the RDS(ON). FEATURE APPL

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: