CJ7252KDW MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJ7252KDW

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.34 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 max pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.3 Ohm

Encapsulados: SOT363

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CJ7252KDW datasheet

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CJ7252KDW

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETs CJ7252KDW N Channel + P Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-363 5 @10V 60 V 0.34A 5.3 @4.5V 8 @-10V -50 V -0.18A 10 @-5V DESCRIPTION This N Channel + P Channel MOSFET has been designed using advanced power trench process to optimize the RDS(ON). FEATURE APPL

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