CJ7252KDW MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CJ7252KDW
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.34 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 30(max) pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.3 Ohm
Тип корпуса: SOT363
CJ7252KDW Datasheet (PDF)
cj7252kdw.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETsCJ7252KDW N Channel + P Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-363 5@10V 60 V0.34A5.3@4.5V8@-10V-50V-0.18A 10@-5VDESCRIPTION This N Channel + P Channel MOSFET has been designed using advanced power trench process to optimize the RDS(ON). FEATURE APPL
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918