CJ7252KDW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJ7252KDW

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.3 Ohm

Тип корпуса: SOT363

Аналог (замена) для CJ7252KDW

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJ7252KDW даташит

 ..1. Size:3779K  jiangsu
 cj7252kdw.pdf pdf_icon

CJ7252KDW

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETs CJ7252KDW N Channel + P Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-363 5 @10V 60 V 0.34A 5.3 @4.5V 8 @-10V -50 V -0.18A 10 @-5V DESCRIPTION This N Channel + P Channel MOSFET has been designed using advanced power trench process to optimize the RDS(ON). FEATURE APPL

Другие IGBT... CTZ2305A, CTZ2312A, CJ2324, CJ3134KDW, CJ3139KDW, CJ3434, CJ3439KDW, CJ4459, IRFP460, CJA03N10S, CJAA3134K, CJAA3139K, CJAB20N03, CJAB20SN06, CJAB25N03, CJAB25N04, CJAB25P03