CJAB20N03 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

CJAB20N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJAB20N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 138 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: PDFNWB3.3X3.3-8L

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

CJAB20N03 datasheet

..1. Size:2126K 1
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JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB20N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP PD F NWB3.3 3.3-8L 8.5m @10V 30 V 20A 12m @4.5V DESCRIPTION The CJAB20N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEA

..2. Size:2126K jiangsu
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8.1. Size:1226K 1
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JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN DFNWB3 3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB20SN06 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP D F NWB3 3-8L 8m @10V 60V 20A 9.7m @4.5V DESCRIPTION The CJAB20SN06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

8.2. Size:1226K jiangsu
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