Справочник MOSFET. CJAB20N03

 

CJAB20N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJAB20N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: PDFNWB3.3X3.3-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CJAB20N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2126K  1
 cjab20n03.pdf pdf_icon

CJAB20N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB20N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYPPD F NWB3.33.3-8L8.5m@10V30 V20A12m@4.5VDESCRIPTION The CJAB20N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEA

 ..2. Size:2126K  jiangsu
 cjab20n03.pdf pdf_icon

CJAB20N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB20N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYPPD F NWB3.33.3-8L8.5m@10V30 V20A12m@4.5VDESCRIPTION The CJAB20N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEA

 8.1. Size:1226K  1
 cjab20sn06.pdf pdf_icon

CJAB20N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNDFNWB33-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB20SN06 N-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)TYPD F NWB33-8L8m@10V60V 20A9.7m@4.5VDESCRIPTION The CJAB20SN06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

 8.2. Size:1226K  jiangsu
 cjab20sn06.pdf pdf_icon

CJAB20N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNDFNWB33-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB20SN06 N-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)TYPD F NWB33-8L8m@10V60V 20A9.7m@4.5VDESCRIPTION The CJAB20SN06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLI640GPBF | HSU4006

 

 
Back to Top

 


 
.