CJAB20SN06 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

CJAB20SN06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJAB20SN06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 395 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: DFNWB3X3-8L

Búsqueda de reemplazo de CJAB20SN06 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

CJAB20SN06 datasheet

..1. Size:1226K 1
cjab20sn06.pdf pdf_icon

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN DFNWB3 3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB20SN06 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP D F NWB3 3-8L 8m @10V 60V 20A 9.7m @4.5V DESCRIPTION The CJAB20SN06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

..2. Size:1226K jiangsu
cjab20sn06.pdf pdf_icon

8.1. Size:2126K 1
cjab20n03.pdf pdf_icon

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB20N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP PD F NWB3.3 3.3-8L 8.5m @10V 30 V 20A 12m @4.5V DESCRIPTION The CJAB20N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEA

8.2. Size:2126K jiangsu
cjab20n03.pdf pdf_icon