CJAB20SN06 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

CJAB20SN06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJAB20SN06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 395 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: DFNWB3X3-8L

Аналог (замена) для CJAB20SN06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

CJAB20SN06 даташит

..1. Size:1226K 1
cjab20sn06.pdf pdf_icon

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN DFNWB3 3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB20SN06 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP D F NWB3 3-8L 8m @10V 60V 20A 9.7m @4.5V DESCRIPTION The CJAB20SN06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

..2. Size:1226K jiangsu
cjab20sn06.pdf pdf_icon

8.1. Size:2126K 1
cjab20n03.pdf pdf_icon

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB20N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP PD F NWB3.3 3.3-8L 8.5m @10V 30 V 20A 12m @4.5V DESCRIPTION The CJAB20N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEA

8.2. Size:2126K jiangsu
cjab20n03.pdf pdf_icon