CJAB25P03 Todos los transistores

 

CJAB25P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJAB25P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 296 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFNWB3.3X3.3-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de CJAB25P03 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CJAB25P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1555K  1
 cjab25p03.pdf pdf_icon

CJAB25P03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB25P03 P-Channel Power MOSFET ID PDFNWB3.33.3-8L V(BR)DSS RDS(on)MAX -25A-30V20m@-10VDESCRIPTION The CJAB25P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

 ..2. Size:1555K  jiangsu
 cjab25p03.pdf pdf_icon

CJAB25P03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB25P03 P-Channel Power MOSFET ID PDFNWB3.33.3-8L V(BR)DSS RDS(on)MAX -25A-30V20m@-10VDESCRIPTION The CJAB25P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

 8.1. Size:2997K  1
 cjab25n03.pdf pdf_icon

CJAB25P03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB25N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB3.33.3-8L 10m@10V30 V25A14m@4.5VDESCRIPTION The CJAB25N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications F

 8.2. Size:1326K  1
 cjab25sn06.pdf pdf_icon

CJAB25P03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB25SN06 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP PDFNWB3.33.3-8L 13.5m@10V65V25A23.0m@4.5VDESCRIPTION The CJAB25SN06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... CJ7252KDW , CJA03N10S , CJAA3134K , CJAA3139K , CJAB20N03 , CJAB20SN06 , CJAB25N03 , CJAB25N04 , IRF3710 , CJAB25SN06 , CJAB35P03 , CJAB40N03 , CJAB40SN10 , CJAB55N03 , CJAB60N03 , CJAC0410 , CJAC100P03 .

History: SE9435 | QM3009K | CEB02N7G | AO4498E | CS13N50FA9D | IPB019N08N3G | HIRFZ44F

 

 
Back to Top

 


 
.