CJAB25P03 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

CJAB25P03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: CJAB25P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 296 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: PDFNWB3.3X3.3-8L

Аналог (замена) для CJAB25P03

CJAB25P03 Datasheet (PDF)

..1. Size:1555K 1
cjab25p03.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB25P03 P-Channel Power MOSFET ID PDFNWB3.33.3-8L V(BR)DSS RDS(on)MAX -25A-30V20m@-10VDESCRIPTION The CJAB25P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

..2. Size:1555K jiangsu
cjab25p03.pdf

8.1. Size:2997K 1
cjab25n03.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB25N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB3.33.3-8L 10m@10V30 V25A14m@4.5VDESCRIPTION The CJAB25N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications F

8.2. Size:1326K 1
cjab25sn06.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB25SN06 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP PDFNWB3.33.3-8L 13.5m@10V65V25A23.0m@4.5VDESCRIPTION The CJAB25SN06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

8.3. Size:1122K 1
cjab25n04.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB25N04 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB3.33.3-8L 9.5m@10V40V25A16m@4.5VDESCRIPTION The CJAB25N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEAT

8.4. Size:2997K jiangsu
cjab25n03.pdf