CJAB25P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJAB25P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 296 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: PDFNWB3.3X3.3-8L

Аналог (замена) для CJAB25P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJAB25P03 даташит

 ..1. Size:1555K  1
 cjab25p03.pdf pdf_icon

CJAB25P03

 ..2. Size:1555K  jiangsu
 cjab25p03.pdf pdf_icon

CJAB25P03

 8.1. Size:2997K  1
 cjab25n03.pdf pdf_icon

CJAB25P03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB25N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB3.3 3.3-8L 10m @10V 30 V 25A 14m @4.5V DESCRIPTION The CJAB25N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications F

 8.2. Size:1326K  1
 cjab25sn06.pdf pdf_icon

CJAB25P03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB25SN06 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP PDFNWB3.3 3.3-8L 13.5m @10V 65V 25A 23.0m @4.5V DESCRIPTION The CJAB25SN06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CJ7252KDW, CJA03N10S, CJAA3134K, CJAA3139K, CJAB20N03, CJAB20SN06, CJAB25N03, CJAB25N04, AO3400, CJAB25SN06, CJAB35P03, CJAB40N03, CJAB40SN10, CJAB55N03, CJAB60N03, CJAC0410, CJAC100P03