CJAB25SN06 Todos los transistores

 

CJAB25SN06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJAB25SN06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 239 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFNWB3.3X3.3-8L
 

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CJAB25SN06 datasheet

 ..1. Size:1326K  1
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CJAB25SN06

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB25SN06 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP PDFNWB3.3 3.3-8L 13.5m @10V 65V 25A 23.0m @4.5V DESCRIPTION The CJAB25SN06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

 ..2. Size:1326K  jiangsu
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CJAB25SN06

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB25SN06 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP PDFNWB3.3 3.3-8L 13.5m @10V 65V 25A 23.0m @4.5V DESCRIPTION The CJAB25SN06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

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CJAB25SN06

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB25N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB3.3 3.3-8L 10m @10V 30 V 25A 14m @4.5V DESCRIPTION The CJAB25N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications F

 8.2. Size:1555K  1
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CJAB25SN06

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