Справочник MOSFET. CJAB25SN06

 

CJAB25SN06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CJAB25SN06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 65 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 13.8 nC

Время нарастания (tr): 12 ns

Выходная емкость (Cd): 239 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.016 Ohm

Тип корпуса: PDFNWB3.3X3.3-8L

Аналог (замена) для CJAB25SN06

 

 

CJAB25SN06 Datasheet (PDF)

0.1. cjab25sn06.pdf Size:1326K _jiangsu

CJAB25SN06
CJAB25SN06

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB25SN06 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP PDFNWB3.33.3-8L 13.5m@10V65V25A23.0m@4.5VDESCRIPTION The CJAB25SN06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

8.1. cjab25n04.pdf Size:1122K _jiangsu

CJAB25SN06
CJAB25SN06

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB25N04 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB3.33.3-8L 9.5m@10V40V25A16m@4.5VDESCRIPTION The CJAB25N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEAT

8.2. cjab25n03.pdf Size:2997K _jiangsu

CJAB25SN06
CJAB25SN06

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB25N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB3.33.3-8L 10m@10V30 V25A14m@4.5VDESCRIPTION The CJAB25N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications F

 8.3. cjab25p03.pdf Size:1555K _jiangsu

CJAB25SN06
CJAB25SN06

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB25P03 P-Channel Power MOSFET ID PDFNWB3.33.3-8L V(BR)DSS RDS(on)MAX -25A-30V20m@-10VDESCRIPTION The CJAB25P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top