CJAB35P03 Todos los transistores

 

CJAB35P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJAB35P03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 20 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 35 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 38 nC

Tiempo de elevación (tr): 22 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 385 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.015 Ohm

Empaquetado / Estuche: PDFNWB3.3X3.3-8L

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CJAB35P03 Datasheet (PDF)

0.1. cjab35p03.pdf Size:1424K _jiangsu

CJAB35P03
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JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB35P03 P-Channel Power MOSFET ID PDFNWB3.33.3-8L V(BR)DSS RDS(on)MAX -35A15m@-10V-30VDESCRIPTION The CJAB35P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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