CJAB35P03 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CJAB35P03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: PDFNWB3.3X3.3-8L
Аналог (замена) для CJAB35P03
CJAB35P03 технические параметры
cjab35p03.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB35P03 P-Channel Power MOSFET ID PDFNWB3.3 3.3-8L V(BR)DSS RDS(on)MAX -35A 15m @-10V -30V DESCRIPTION The CJAB35P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES
cjab35p03.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB35P03 P-Channel Power MOSFET ID PDFNWB3.3 3.3-8L V(BR)DSS RDS(on)MAX -35A 15m @-10V -30V DESCRIPTION The CJAB35P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES
Другие MOSFET... CJAA3134K , CJAA3139K , CJAB20N03 , CJAB20SN06 , CJAB25N03 , CJAB25N04 , CJAB25P03 , CJAB25SN06 , IRF3710 , CJAB40N03 , CJAB40SN10 , CJAB55N03 , CJAB60N03 , CJAC0410 , CJAC100P03 , CJAC100SN08 , CJAC10H02 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP6007S | AP5N50K | AP5N20K | AP5N10S | AP5N10M | AP50P20Q | AP50P20K | AP50P06K | AP50N06K | AP50N04QD | AP50N04Q | AP50N04K | AP50N04GD | AP5040QD | AP4946S | AP4847
Popular searches
2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437



