Справочник MOSFET. CJAB35P03

 

CJAB35P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJAB35P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: PDFNWB3.3X3.3-8L
 

 Аналог (замена) для CJAB35P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJAB35P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1424K  1
 cjab35p03.pdf pdf_icon

CJAB35P03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB35P03 P-Channel Power MOSFET ID PDFNWB3.33.3-8L V(BR)DSS RDS(on)MAX -35A15m@-10V-30VDESCRIPTION The CJAB35P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

 ..2. Size:1424K  jiangsu
 cjab35p03.pdf pdf_icon

CJAB35P03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB35P03 P-Channel Power MOSFET ID PDFNWB3.33.3-8L V(BR)DSS RDS(on)MAX -35A15m@-10V-30VDESCRIPTION The CJAB35P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

Другие MOSFET... CJAA3134K , CJAA3139K , CJAB20N03 , CJAB20SN06 , CJAB25N03 , CJAB25N04 , CJAB25P03 , CJAB25SN06 , P55NF06 , CJAB40N03 , CJAB40SN10 , CJAB55N03 , CJAB60N03 , CJAC0410 , CJAC100P03 , CJAC100SN08 , CJAC10H02 .

History: FIR2N60ALG | IPB80N04S4-04 | 30N20 | IXTQ69N30PM | STP10NM60ND | SM4025PSU | AP2328GN

 

 
Back to Top

 


 
.