Справочник MOSFET. CJAB35P03

 

CJAB35P03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CJAB35P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: PDFNWB3.3X3.3-8L

 Аналог (замена) для CJAB35P03

 

 

CJAB35P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1424K  1
 cjab35p03.pdf

CJAB35P03 CJAB35P03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB35P03 P-Channel Power MOSFET ID PDFNWB3.33.3-8L V(BR)DSS RDS(on)MAX -35A15m@-10V-30VDESCRIPTION The CJAB35P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

 ..2. Size:1424K  jiangsu
 cjab35p03.pdf

CJAB35P03 CJAB35P03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB35P03 P-Channel Power MOSFET ID PDFNWB3.33.3-8L V(BR)DSS RDS(on)MAX -35A15m@-10V-30VDESCRIPTION The CJAB35P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top