CJAB35P03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJAB35P03  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: PDFNWB3.3X3.3-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJAB35P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJAB35P03 даташит

 ..1. Size:1424K  1
 cjab35p03.pdf pdf_icon

CJAB35P03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB35P03 P-Channel Power MOSFET ID PDFNWB3.3 3.3-8L V(BR)DSS RDS(on)MAX -35A 15m @-10V -30V DESCRIPTION The CJAB35P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

 ..2. Size:1424K  jiangsu
 cjab35p03.pdf pdf_icon

CJAB35P03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB35P03 P-Channel Power MOSFET ID PDFNWB3.3 3.3-8L V(BR)DSS RDS(on)MAX -35A 15m @-10V -30V DESCRIPTION The CJAB35P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES

Другие IGBT... CJAA3134K, CJAA3139K, CJAB20N03, CJAB20SN06, CJAB25N03, CJAB25N04, CJAB25P03, CJAB25SN06, IRF3710, CJAB40N03, CJAB40SN10, CJAB55N03, CJAB60N03, CJAC0410, CJAC100P03, CJAC100SN08, CJAC10H02