CJAB35P03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CJAB35P03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: PDFNWB3.3X3.3-8L
Аналог (замена) для CJAB35P03
CJAB35P03 Datasheet (PDF)
cjab35p03.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB35P03 P-Channel Power MOSFET ID PDFNWB3.33.3-8L V(BR)DSS RDS(on)MAX -35A15m@-10V-30VDESCRIPTION The CJAB35P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES
cjab35p03.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB35P03 P-Channel Power MOSFET ID PDFNWB3.33.3-8L V(BR)DSS RDS(on)MAX -35A15m@-10V-30VDESCRIPTION The CJAB35P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES
Другие MOSFET... CJAA3134K , CJAA3139K , CJAB20N03 , CJAB20SN06 , CJAB25N03 , CJAB25N04 , CJAB25P03 , CJAB25SN06 , IRFB4115 , CJAB40N03 , CJAB40SN10 , CJAB55N03 , CJAB60N03 , CJAC0410 , CJAC100P03 , CJAC100SN08 , CJAC10H02 .
History: IXFN32N100P | TMU3N90
History: IXFN32N100P | TMU3N90
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP40H10NF | AP40H04NF | AP40G03NF | AP3P10S | AP3P10MI | AP3P06LI | AP3P06BI | AP3P06AI | AP3N50D | AP3N10BI | AP3N06MI | AP3N06I | AP35H04NF | AP3415A | AP3410MI | SSC8P22CN2
Popular searches
2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437