CJAB55N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJAB55N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 20 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 55 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de compuerta (Qg): 47 nC
Tiempo de elevación (tr): 36 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 320 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0055 Ohm
Empaquetado / Estuche: PDFNWB3.3X3.3-8L
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CJAB55N03 Datasheet (PDF)
0.1. cjab55n03.pdf 
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JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB55N03 N-Channel Power MOSFET RDS(on)MAX ID V(BR)DSS PDFNWB3.33.3-8L 5.5m@10V30 V55A9.5m@4.5VDESCRIPTION The CJAB55N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications
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