CJAB55N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJAB55N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Encapsulados: PDFNWB3.3X3.3-8L
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CJAB55N03 datasheet
cjab55n03.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB55N03 N-Channel Power MOSFET RDS(on)MAX ID V(BR)DSS PDFNWB3.3 3.3-8L 5.5m @10V 30 V 55A 9.5m @4.5V DESCRIPTION The CJAB55N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications
cjab55n03.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB55N03 N-Channel Power MOSFET RDS(on)MAX ID V(BR)DSS PDFNWB3.3 3.3-8L 5.5m @10V 30 V 55A 9.5m @4.5V DESCRIPTION The CJAB55N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications
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