CJAB55N03 Todos los transistores

 

CJAB55N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJAB55N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFNWB3.3X3.3-8L
 

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CJAB55N03 Datasheet (PDF)

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CJAB55N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB55N03 N-Channel Power MOSFET RDS(on)MAX ID V(BR)DSS PDFNWB3.33.3-8L 5.5m@10V30 V55A9.5m@4.5VDESCRIPTION The CJAB55N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

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CJAB55N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB55N03 N-Channel Power MOSFET RDS(on)MAX ID V(BR)DSS PDFNWB3.33.3-8L 5.5m@10V30 V55A9.5m@4.5VDESCRIPTION The CJAB55N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

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History: 2N5452 | IRFP351

 

 
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